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MMBF170L, NVBF170L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.2
1.0
0.8
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
5.0 V
4.5 V
4.2 V
1.0
0.8
0.6
V DS ≥ 10 V
0.6
4.0 V
3.8 V
0.4
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
6
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
7
0.2
0
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
2 3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
7
8
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. Transfer Characteristics
8
7
T J = 25 ° C
15
12.5
QT
30
25
6
5
4
10
7.5
V DS
V GS
20
15
3
2
1
0
0.15
0.25
0.35
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.45 0.55
0.65
0.75
0.85
5
2.5
0
0
Q gs
0.5
Q gd
1
1.5
I D = 0.5 A
T J = 25 ° C
10
5
0
2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 5. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
0.24
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 6. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
0.22
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 7. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
3
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